未来を拓く！電力損失約50%削減、三菱電機の「トレンチ型SiC-MOSFETチップ」でEVや再生可能エネルギー機器がもっと進化する

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驚きの電力損失約50%削減！その秘密とは？

この新製品の最大の魅力は、電力損失を大幅に低減できる点にあります。従来のプレーナー型SiC-MOSFETと比較して、なんと約50%もの電力損失削減が実現されています。これは、三菱電機が長年培ってきたSiパワー半導体チップの微細化技術と、独自構造のトレンチ型SiC-MOSFETを採用した結果です。

具体的には、ウェハの表面から溝（トレンチ）を掘り、ゲート電極を埋め込んだ独自構造が、オン抵抗の低減に貢献。さらに、独自の斜め方向からのイオン注入方式により、スイッチング損失も抑えられています。これらの技術の組み合わせが、機器の消費電力を劇的に減らし、より効率的な運用を可能にするのです。

長く、安定して使える品質が安心を呼ぶ

パワー半導体は、一度組み込んだら長く使いたいもの。新チップは、長期間にわたる使用でも品質の安定性を維持する工夫が凝らされています。プレーナー型SiC-MOSFETやSiC-SBD（ショットキーバリアダイオード）に関する20年以上の研究・製造実績から得られた独自の工程管理と、独自のゲート酸化膜製法などの製造プロセス技術が、トレンチ型SiC-MOSFETにも活用されています。

これにより、スイッチングオン/オフ動作の繰り返しで発生しやすい電力損失やオン抵抗などの変動が抑制され、機器が長期間にわたって設計通りの性能を発揮し続けることが期待できます。これは、製品の信頼性を高め、メンテナンスコストの削減にも繋がる、開発者にとって嬉しいポイントではないでしょうか。

広がる活用シーンと充実のラインアップ

今回の新製品は、用途に応じて選べる4品種がラインアップされています。定格電圧は750Vで、オン抵抗は20mΩから80mΩまで幅広く提供されます。これにより、EVのトラクションインバーター、オンボードチャージャー、太陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システムといった、多様なパワーエレクトロニクス機器への組み込みニーズに対応します。

製品仕様

サンプル提供は2026年1月21日から開始され、価格は個別見積もりとなります。まずはサンプルでその性能を体感し、あなたの製品開発の可能性を広げてみてはいかがでしょうか。

展示会で実物を見るチャンス！

この新製品は、「第40回ネプコンジャパン エレクトロニクス開発・実装展」（2026年1月21日～23日、東京ビッグサイト）をはじめ、北米、欧州、中国、インドなど世界各地で開催される展示会に出展される予定です。実際に製品を見て、その技術力を体感できる貴重な機会となるでしょう。

関連情報

より詳しい情報やお問い合わせについては、以下のリンクをご覧ください。

• 三菱電機ウェブサイト

• 半導体・デバイス事業部お問い合わせ先

• パワー半導体デバイスウェブサイト

• 関連する2024年11月12日の広報発表

• 本プレスリリース詳細

この新しいトレンチ型SiC-MOSFETチップが、次世代のパワーエレクトロニクス機器開発を加速させ、持続可能な社会の実現に貢献してくれることでしょう。未来を創る技術に、ぜひご注目ください。

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